### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** SOT-23 (Surface Mount)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 120V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 80V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V  
- **Collector Current (IC):** 100mA  
- **Power Dissipation (PD):** 225mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 100–400 (at IC = 10mA, VCE = 5V)  
- **Transition Frequency (fT):** 150MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- High voltage capability with low saturation voltage.  
- Suitable for high-speed switching due to its transition frequency.  
- Compact SOT-23 package for space-constrained PCB designs.  
- RoHS compliant.  

For detailed electrical characteristics, refer to the manufacturer’s datasheet.