EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT) The part **KRC861E** is manufactured by **KEC (Korea Electronics Company)**. Below are the specifications, descriptions, and features based on available information:  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Epitaxial Planar Transistor  
- **Application:** High-frequency amplification, RF applications  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 30V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 20V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 3V  
- **Collector Current (IC):** 50mA  
- **Total Power Dissipation (PT):** 150mW  
- **Transition Frequency (fT):** 800MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOT-23 (Small Outline Transistor)  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for **high-frequency and low-noise amplification** in RF circuits.  
- Suitable for **VHF/UHF applications** due to its high transition frequency.  
- **Low leakage current** and **good linearity** for signal processing.  
- Compact **SOT-23 package** for space-constrained PCB designs.  
- Commonly used in **mobile communication devices, wireless modules, and RF amplifiers**.  

For exact performance characteristics, refer to the official **KEC datasheet** for the KRC861E.