EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT) The part **KRC829E** is manufactured by **KEC (Korea Electronics Co., Ltd.)**. Below are the specifications, descriptions, and features based on available information:  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Epitaxial Planar Transistor  
- **Application:** General-purpose amplification and switching  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 60V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V  
- **Collector Current (IC):** 1.5A  
- **Power Dissipation (Ptot):** 1W  
- **Transition Frequency (fT):** 150MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-92 (Plastic Encapsulation)  

### **Descriptions:**  
- The **KRC829E** is a high-voltage, low-noise NPN transistor designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- It is suitable for use in audio amplifiers, signal processing, and driver stages.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** Suitable for circuits requiring up to 60V.  
- **Low Noise:** Ideal for audio and signal amplification.  
- **Fast Switching Speed:** Useful in switching applications.  
- **Compact TO-92 Package:** Easy to mount on PCBs.  

For exact performance characteristics, refer to the **KEC datasheet** for the **KRC829E**.

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT)