EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT) The part **KRC659E** is manufactured by **KEC (Korea Electronics Co., Ltd.)**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** Schottky Barrier Diode  
- **Package:** SOD-123FL  
- **Maximum Reverse Voltage (VR):** 60V  
- **Average Forward Current (IF):** 6A  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM):** 150A  
- **Forward Voltage (VF):** 0.55V (at 3A)  
- **Reverse Leakage Current (IR):** 0.5mA (at VR = 60V)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The **KRC659E** is a high-efficiency Schottky diode designed for low forward voltage drop and fast switching applications.  
- It is commonly used in power supplies, DC-DC converters, and reverse polarity protection circuits.  

### **Features:**  
- **Low Forward Voltage Drop** for reduced power loss.  
- **High Surge Current Capability** for reliable performance.  
- **Fast Switching Speed** for high-frequency applications.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant** for environmental safety.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to the official KEC documentation.

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT)