EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT) The part **KRC658E** is manufactured by **KEC (Korea Electronics Co., Ltd.)**. Below are the specifications, descriptions, and features based on available factual information:  

### **Specifications:**  
- **Type:** Rectifier Diode  
- **Package:** SOD-123FL  
- **Maximum Reverse Voltage (VRRM):** 600V  
- **Average Forward Current (IF(AV)):** 0.65A  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM):** 20A  
- **Forward Voltage Drop (VF):** 1.3V (typical at 0.65A)  
- **Reverse Leakage Current (IR):** 5µA (max at rated voltage)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The **KRC658E** is a high-voltage rectifier diode designed for general-purpose power supply applications.  
- It is suitable for switching power supplies, inverters, and other high-efficiency circuits.  
- The **SOD-123FL** package provides a compact footprint for space-constrained designs.  

### **Features:**  
- **Low forward voltage drop** for improved efficiency.  
- **High surge current capability** for robust performance.  
- **Fast reverse recovery time** for reduced switching losses.  
- **Lead-free and RoHS compliant** for environmental safety.  

For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the official **KEC datasheet** for the **KRC658E**.

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT)