EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (HIGH CURRENT SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT) **Manufacturer:** KEC (Korea Electronics Company)  

**Part Number:** KRC243S  

### **Specifications:**  
- **Type:** Schottky Barrier Diode  
- **Maximum Average Forward Current (IF(AV)):** 2A  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM):** 50A  
- **Maximum Reverse Voltage (VR):** 40V  
- **Forward Voltage Drop (VF):** 0.55V (at 1A)  
- **Reverse Leakage Current (IR):** 0.5mA (at VR = 40V)  
- **Operating Temperature Range:** -65°C to +125°C  
- **Package:** DO-214AC (SMA)  

### **Descriptions:**  
- The KRC243S is a high-efficiency Schottky barrier diode designed for low-power loss and high-frequency applications.  
- It is commonly used in power supply circuits, reverse polarity protection, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Low Forward Voltage Drop** for reduced power loss.  
- **Fast Switching Speed** suitable for high-frequency applications.  
- **High Surge Current Capability** for reliable performance.  
- **Compact SMA Package** for space-constrained designs.  
- **RoHS Compliant** for environmental safety.  

For detailed electrical characteristics, refer to the official KEC datasheet.

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (HIGH CURRENT SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT)