EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT) The part **KRC117S** is manufactured by **KEC (Korea Electronics Co., Ltd.)**. Below are the specifications, descriptions, and features based on available factual information:  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 50V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** 60V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 150mA  
- **Total Power Dissipation (P_T):** 250mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 120 ~ 400  
- **Transition Frequency (f_T):** 250MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The **KRC117S** is a general-purpose NPN transistor designed for amplification and switching applications. It is commonly used in low-power circuits, signal processing, and RF applications due to its high transition frequency.  

### **Features:**  
- **High current gain (h_FE)** for improved signal amplification.  
- **Low noise performance**, making it suitable for audio and RF applications.  
- **Compact package (TO-92)** for easy PCB mounting.  
- **High transition frequency (f_T)** for high-frequency applications.  

For exact application notes or additional details, refer to the official **KEC datasheet**.

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT)