EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR The KRA307E is a semiconductor component manufactured by KEC (Korea Electronics Company). Below are the factual details about the part based on available specifications, descriptions, and features:  

### **Manufacturer:**  
- **KEC (Korea Electronics Company)**  

### **Part Number:**  
- **KRA307E**  

### **Type:**  
- **Rectifier Diode**  

### **Specifications:**  
- **Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage (VRRM):** 1000V  
- **Average Forward Current (IF(AV)):** 3A  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM):** 80A (non-repetitive)  
- **Forward Voltage (VF):** 1.2V (typical at 3A)  
- **Reverse Leakage Current (IR):** 5μA (max at rated voltage)  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +150°C  
- **Storage Temperature Range (TSTG):** -55°C to +150°C  

### **Package Type:**  
- **DO-201AD (Axial Lead Package)**  

### **Features:**  
- **High reverse voltage capability**  
- **Low forward voltage drop**  
- **High reliability**  
- **Suitable for general-purpose rectification applications**  

### **Applications:**  
- **Power supplies**  
- **Battery chargers**  
- **AC/DC converters**  
- **Industrial and consumer electronics**  

This information is based on standard specifications for the KRA307E rectifier diode from KEC. For exact performance characteristics, refer to the official datasheet.

EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR