EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT) The part **KRA113-M** is manufactured by **KEC (Korea Electronics Co., Ltd.)**. Below are its specifications, descriptions, and features based on available information:  

### **Specifications:**  
- **Type:** Diode (Rectifier)  
- **Package:** SOD-123FL  
- **Maximum Reverse Voltage (VR):** 100V  
- **Average Forward Current (IF):** 1A  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM):** 30A  
- **Forward Voltage Drop (VF):** 1.1V (at 1A)  
- **Reverse Leakage Current (IR):** 5μA (at 100V)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The **KRA113-M** is a high-efficiency rectifier diode designed for general-purpose applications.  
- It is suitable for power supply circuits, reverse polarity protection, and freewheeling diodes in switching circuits.  
- The **SOD-123FL** package provides a compact footprint for space-constrained designs.  

### **Features:**  
- **Low forward voltage drop** for reduced power loss.  
- **High surge current capability** for reliable performance under transient conditions.  
- **Fast switching** characteristics for improved efficiency.  
- **Lead-free and RoHS compliant** for environmental safety.  

This information is sourced from KEC's official documentation. For exact performance details, refer to the manufacturer's datasheet.

EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT)