EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT) **Manufacturer:** KEC (Korea Electronics Company)  

**Part Number:** KRA107M  

### **Specifications:**  
- **Type:** Silicon Epitaxial Planar Transistor  
- **Polarity:** NPN  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** 50V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 50V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Maximum Collector Current (I_C):** 0.5A  
- **Total Power Dissipation (P_T):** 0.625W  
- **Transition Frequency (f_T):** 100MHz  
- **DC Current Gain (h_FE):** 40 ~ 320 (depending on operating conditions)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The KRA107M is a general-purpose NPN transistor designed for amplification and switching applications.  
- It is housed in a TO-92 package, making it suitable for compact circuit designs.  

### **Features:**  
- High current gain (h_FE) range for versatile applications.  
- Low noise performance, suitable for signal amplification.  
- Reliable and stable operation in various electronic circuits.  
- Epitaxial planar construction ensures consistent performance.  

For exact application details, refer to the official KEC datasheet.

EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT)