KRA104M

EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT) The part **KRA104M** is manufactured by **KEC (Korea Electronics Company)**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** Rectifier Diode  
- **Voltage Rating:** 1000V (1kV)  
- **Current Rating:** 1A  
- **Package:** DO-41 (Axial Lead)  
- **Forward Voltage Drop (VF):** Typically 1.0V at 1A  
- **Reverse Leakage Current (IR):** Typically 5µA at rated voltage  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- A general-purpose silicon rectifier diode designed for high-voltage applications.  
- Suitable for power supply circuits, inverters, and other rectification purposes.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability** (up to 1000V)  
- **Low Forward Voltage Drop**  
- **Fast Switching Performance**  
- **Reliable and Robust Construction**  
- **RoHS Compliant** (Lead-Free)  

This diode is commonly used in power supplies, battery chargers, and other electronic circuits requiring high-voltage rectification.  

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EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT)