EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT) The KRA101M is a Schottky Barrier Diode (SBD) manufactured by KEC (Korea Electronics Company).  

### **Specifications:**  
- **Type:** Schottky Barrier Diode (SBD)  
- **Package:** SOD-123FL  
- **Maximum Reverse Voltage (VR):** 100V  
- **Average Forward Current (IF):** 1A  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM):** 30A  
- **Forward Voltage (VF):** 0.85V (at 1A)  
- **Reverse Leakage Current (IR):** 0.5mA (at 100V)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- **Low Forward Voltage Drop:** Ensures efficient power conversion.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **High Surge Current Capability:** Provides robustness in transient conditions.  
- **Small Package (SOD-123FL):** Space-saving design for compact PCB layouts.  
- **Applications:** Power rectification, DC-DC converters, freewheeling diodes, and reverse polarity protection.  

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