EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT) The part **KRA101-M** is manufactured by **KEC**. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available factual information:  

### **Specifications:**  
- **Type:** Rectifier Diode  
- **Maximum Average Forward Current (IF(AV)):** 1A  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM):** 30A  
- **Maximum Reverse Voltage (VR):** 1000V  
- **Forward Voltage Drop (VF):** Typically 1.1V at 1A  
- **Reverse Recovery Time (trr):** Fast recovery type  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** DO-41 (Axial Lead)  

### **Descriptions:**  
- The **KRA101-M** is a high-voltage rectifier diode designed for general-purpose power rectification applications.  
- It is suitable for use in power supplies, inverters, and other circuits requiring high reverse voltage capability.  

### **Features:**  
- **High Reverse Voltage (1000V)** – Ensures reliable operation in high-voltage circuits.  
- **Fast Recovery Time** – Minimizes switching losses in rectification applications.  
- **Robust Construction** – Designed for durability in various electronic applications.  
- **Axial Lead Package (DO-41)** – Facilitates easy PCB mounting and through-hole assembly.  

This information is based on standard specifications for the **KRA101-M** diode by KEC. For precise application details, always refer to the official datasheet.

EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT)