64Mbit SDRAM The K4S641632E-TL60 is a 64Mbit (4M x 16bit) CMOS Synchronous DRAM (SDRAM) manufactured by Samsung (SAM). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Density:** 64Mbit (4M x 16bit)  
- **Organization:** 4 Banks x 1M x 16bit  
- **Voltage Supply:** 3.3V ± 0.3V  
- **Clock Frequency:** 166MHz (6ns cycle time)  
- **Access Time:** 5.4ns (CL=3)  
- **Package:** 54-pin TSOP-II (400mil width)  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to +70°C)  

### **Descriptions:**
- Fully synchronous operation with the system clock.  
- Supports burst read/write operations (1, 2, 4, 8, or full-page).  
- Auto refresh and self-refresh modes.  
- Programmable CAS latency (2 or 3).  
- Internal pipelined architecture for high-speed operation.  

### **Features:**
- **Burst Mode:** Supports sequential and interleaved burst types.  
- **Auto Precharge:** Configurable for each burst access.  
- **Low Power Consumption:** Standby and power-down modes.  
- **Single 3.3V Power Supply.**  
- **4 Banks Operation:** Enables concurrent operations.  
- **Compliant with JEDEC standards.**  

This SDRAM is commonly used in applications requiring high-speed memory, such as networking equipment, embedded systems, and consumer electronics.  

(Source: Samsung Datasheet for K4S641632E-TL60)