64Mbit SDRAM The **K4S641632E-TC75** is a **64Mbit (4M x 16-bit) Synchronous DRAM (SDRAM)** manufactured by **Samsung (SAM)**.  

### **Key Specifications:**  
- **Density:** 64Mbit (4M words × 16 bits)  
- **Organization:** 4 banks × 1M words × 16 bits  
- **Voltage Supply:** 3.3V (±0.3V)  
- **Speed Grade:** **TC75** (7.5ns access time, 133MHz operating frequency)  
- **Package:** 54-pin TSOP-II (400mil width)  
- **Refresh:** 4,096 refresh cycles / 64ms (Auto Refresh & Self Refresh supported)  
- **Burst Length:** 1, 2, 4, 8, or full page  
- **CAS Latency:** 2 or 3 programmable  
- **Interface:** Fully synchronous with clocked commands  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to +70°C)  

### **Features:**  
- **Auto Precharge** for efficient bank management  
- **Programmable Burst Mode** (sequential or interleave)  
- **Single 3.3V ±0.3V power supply**  
- **LVTTL-compatible inputs and outputs**  
- **Pipeline architecture** for high-speed operation  
- **Supports burst termination** via command input  

This SDRAM is commonly used in **PCs, networking devices, and embedded systems** requiring high-speed memory access.  

Would you like additional details on timing parameters or pin configurations?