256Mb E-die SDRAM Specification 54 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) The **K4S561632E-UL75** is a **512Mb (32Mx16) Synchronous DRAM (SDRAM)** manufactured by **Samsung (SAM)**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Density:** 512Mb (32M words × 16 bits)  
- **Organization:** 4 banks × 8M words × 16 bits  
- **Voltage Supply:** 3.3V (±0.3V)  
- **Speed Grade:** -UL75 (7.5ns access time, 133MHz clock frequency)  
- **Package:** 54-pin TSOP-II (400mil width)  
- **Refresh Cycles:** 4096 refresh cycles / 64ms  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to +70°C)  

### **Features:**
- **Fully Synchronous Operation** with a single 3.3V power supply.  
- **Programmable Burst Length:** Supports 1, 2, 4, 8, or full-page burst.  
- **CAS Latency (CL):** 2 or 3 (programmable).  
- **Auto Refresh & Self Refresh** modes.  
- **Burst Read & Write Operations.**  
- **Auto Precharge** function for efficient bank management.  
- **Compatible with JEDEC Standard** (supports LVTTL interfaces).  

### **Applications:**
- Used in **PCs, networking equipment, embedded systems, and consumer electronics** requiring high-speed memory.  

This SDRAM is designed for **high-performance, low-power** applications with a focus on **reliability and compatibility**.  

Would you like any additional details?