256Mb E-die SDRAM Specification 54 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) The K4S561632E-UC60 is a synchronous DRAM (SDRAM) manufactured by Samsung. Below are its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Type:** Synchronous DRAM (SDRAM)
- **Density:** 256Mb (16M x 16)
- **Organization:** 4 Banks x 4M x 16
- **Voltage:** 3.3V ± 0.3V
- **Speed:** 60ns (6ns clock cycle time @ CL=3)
- **Package:** 54-pin TSOP II (400mil width)
- **Refresh:** 4096 cycles (64ms refresh interval)
- **Interface:** LVTTL
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to 70°C) or Industrial (-40°C to 85°C)

### **Descriptions:**
- The K4S561632E-UC60 is a high-speed CMOS SDRAM designed for applications requiring high-density memory.
- It supports burst read and write operations with programmable burst lengths (1, 2, 4, 8, or full page).
- Features an auto-refresh and self-refresh mode for low-power operation.

### **Features:**
- **Synchronous Operation:** Clock-controlled commands and data transfer.
- **Programmable Burst Length:** Supports 1, 2, 4, 8, or full-page bursts.
- **Auto Precharge:** Option for automatic precharge after burst operations.
- **CAS Latency (CL):** Supports CL=2 and CL=3.
- **Low Power Consumption:** Standby and power-down modes available.
- **Single 3.3V Power Supply:** Compatible with LVTTL interfaces.

This information is based on Samsung's official documentation for the K4S561632E-UC60 SDRAM.