128Mb F-die SDRAM Specification The **K4S281632F-TL75** is a memory chip manufactured by **Samsung**. Below are its specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Type:** Synchronous DRAM (SDRAM)  
- **Density:** 128Mbit (4M x 32)  
- **Organization:** 4 banks x 1M words x 32 bits  
- **Voltage:** 3.3V  
- **Speed:** 7.5ns (133MHz)  
- **Package:** 54-pin TSOP II  
- **Interface:** LVTTL  
- **Refresh:** 4096 cycles/64ms  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to +70°C)  

### **Descriptions & Features:**  
- **High-Speed Operation:** Supports clock frequencies up to **133MHz** with a **7.5ns access time**.  
- **Burst Mode:** Supports sequential and interleaved burst operations.  
- **Auto Refresh & Self Refresh:** Includes both **auto refresh (4K cycles)** and **self-refresh** modes.  
- **Low Power Consumption:** Operates at **3.3V** with LVTTL interface for reduced power usage.  
- **Programmable Burst Length:** Supports burst lengths of **1, 2, 4, 8, or full page**.  
- **CAS Latency Options:** Configurable CAS latency of **2 or 3 cycles**.  
- **Industrial-Grade Reliability:** Designed for stable performance in commercial applications.  

This chip is commonly used in **embedded systems, networking devices, and consumer electronics** requiring moderate-speed SDRAM.  

Would you like additional details on any specific aspect?

128Mb F-die SDRAM Specification The **K4S281632F-TL75** is a **256Mbit (16M x 16) Synchronous DRAM (SDRAM)** manufactured by **Samsung**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Density:** 256Mbit (16M words x 16 bits)  
- **Organization:** 4 Banks x 4M words x 16 bits  
- **Voltage Supply:** 3.3V ± 0.3V  
- **Clock Frequency:** 133MHz (PC133 compliant)  
- **Access Time:** 5.4ns (max)  
- **Interface:** LVTTL  
- **Refresh Cycles:** 4096 (64ms refresh interval)  
- **CAS Latency:** 2 or 3 (programmable)  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to +70°C)  
- **Package:** 54-pin TSOP II (400mil width)  

### **Descriptions:**
- Fully synchronous operation with a single 3.3V power supply.  
- Supports burst read/write operations with programmable burst lengths (1, 2, 4, 8, or full page).  
- Auto refresh and self refresh modes available.  
- Compatible with JEDEC-standard SDRAM pin configurations.  

### **Features:**
- **High-Speed Performance:** Supports 133MHz operation (PC133).  
- **Low Power Consumption:** Auto power-down mode reduces standby current.  
- **Burst Mode:** Enhances data transfer efficiency.  
- **Programmable CAS Latency:** Supports 2 or 3 cycles for system flexibility.  
- **Industrial-Grade Reliability:** Manufactured with Samsung’s advanced CMOS process.  

This SDRAM is commonly used in **PCs, networking devices, embedded systems, and consumer electronics**.  

Would you like additional details on timing parameters or pin configurations?

128Mb F-die SDRAM Specification The **K4S281632F-TL75** is a memory chip manufactured by **Samsung Electronics (SEC)**. Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Type:** Synchronous DRAM (SDRAM)  
- **Density:** 128Mbit (4M x 32)  
- **Organization:** 4 Banks x 1M words x 32 bits  
- **Voltage:** 3.3V  
- **Speed:** 7.5ns (133MHz)  
- **Package:** 54-pin TSOP II  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to +70°C)  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-performance applications requiring fast data access.  
- Supports burst read/write operations for efficient data transfer.  
- Fully compatible with JEDEC standards for SDRAM.  

### **Features:**  
- **Auto Refresh & Self Refresh** modes for power efficiency.  
- **Programmable Burst Length** (1, 2, 4, 8, or full page).  
- **CAS Latency (CL):** 2 or 3 cycles.  
- **Single 3.3V ±0.3V Power Supply.**  
- **Internal Pipelined Architecture** for high-speed operation.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For exact performance and compatibility, refer to the official SEC documentation.