128Mb E-die SDRAM Specification The **K4S281632E-TC60** is a memory chip manufactured by **SAMSUNG**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Memory Type:** Synchronous DRAM (SDRAM)  
- **Density:** 128Mbit (4M x 32)  
- **Organization:** 4 Banks x 4M words x 32 bits  
- **Voltage:** 3.3V (±0.3V)  
- **Speed:** 6ns (166 MHz)  
- **Package:** 54-pin TSOP II  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to +70°C)  

### **Descriptions:**
- The **K4S281632E-TC60** is a high-speed CMOS SDRAM designed for high-performance applications.  
- It supports **burst read and write operations** with programmable burst lengths (1, 2, 4, 8, or full page).  
- Features **auto refresh and self refresh** modes for power-saving operation.  
- Includes **4 internal banks** for efficient memory management.  

### **Features:**
- **Synchronous Operation:** Clock-controlled command and data processing.  
- **Programmable CAS Latency (2 or 3 cycles).**  
- **Auto Precharge Function:** Supports automatic row precharging.  
- **Low Power Consumption:** Standby and active power-saving modes.  
- **Single 3.3V Power Supply.**  
- **Compatible with JEDEC standards.**  

This chip is commonly used in **PCs, networking devices, and embedded systems** requiring high-speed memory access.  

*(Note: Always verify datasheets for the latest technical details.)*