128Mbit SDRAM 2M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL The K4S281632C-TC1H is a memory chip manufactured by Samsung. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** Samsung  
### **Part Number:** K4S281632C-TC1H  

### **Specifications:**  
- **Memory Type:** Synchronous DRAM (SDRAM)  
- **Density:** 128Mbit (4M x 32)  
- **Organization:** 4 Banks x 1M words x 32 bits  
- **Voltage Supply:** 3.3V  
- **Speed Grade:** TC1H (CL=3, 7.5ns access time)  
- **Package:** 54-pin TSOP-II (400mil width)  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to 70°C) or Industrial (-40°C to 85°C) depending on variant  

### **Descriptions & Features:**  
- **Synchronous Operation:** Clock-controlled for high-speed data transfer  
- **Burst Mode Support:** Programmable burst lengths (1, 2, 4, 8, or full page)  
- **Auto Refresh & Self Refresh:** Supports power-saving modes  
- **CAS Latency (CL):** 3 (programmable)  
- **Single +3.3V Power Supply:** Low-power operation  
- **4-Bank Architecture:** Improves memory efficiency  
- **Interface:** LVTTL-compatible inputs and outputs  

This information is based on Samsung's official datasheet for the K4S281632C series. Let me know if you need additional details.

128Mbit SDRAM 2M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL The **K4S281632C-TC1H** is a memory chip manufactured by **SAMSUNG**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** SAMSUNG  
- **Part Number:** K4S281632C-TC1H  
- **Type:** Synchronous DRAM (SDRAM)  
- **Density:** 256Mb (32M x 8)  
- **Organization:** 4 Banks x 8M words x 8 bits  
- **Voltage:** 3.3V  
- **Speed:** 7.5ns (133MHz)  
- **Package:** 54-pin TSOP-II  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to 70°C)  

### **Descriptions & Features:**  
- **Synchronous Operation:** Clock-synchronized for high-speed data transfer.  
- **Burst Mode Support:** Supports sequential burst read/write operations.  
- **Auto Refresh & Self Refresh:** Includes built-in refresh mechanisms.  
- **Low Power Consumption:** Optimized for power efficiency.  
- **CAS Latency:** Programmable (2 or 3 cycles).  
- **Commonly Used In:** Consumer electronics, networking devices, and embedded systems.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

128Mbit SDRAM 2M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL The **K4S281632C-TC1H** is a **256Mb (16M x 16) Synchronous DRAM (SDRAM)** manufactured by **Samsung (SAM)**.  

### **Key Specifications:**  
- **Density:** 256Mb (16M words × 16 bits)  
- **Organization:** 4 Banks × 4M words × 16 bits  
- **Voltage:** 3.3V  
- **Speed:** 7.5ns (133MHz @ CL=3)  
- **Package:** 54-pin TSOP II  
- **Refresh:** 4096 cycles (64ms)  
- **Burst Length:** 1, 2, 4, 8, or Full Page  
- **CAS Latency (CL):** 2, 3  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to 70°C)  

### **Features:**  
- Fully synchronous operation with a single 3.3V power supply  
- Programmable burst lengths (1, 2, 4, 8, or full page)  
- Auto refresh and self refresh modes  
- Internal pipelined operation for high-speed data transfer  
- Compatible with JEDEC-standard SDRAM specifications  

This SDRAM is commonly used in **PCs, networking devices, and embedded systems** requiring high-speed memory access.  

Would you like additional details on pin configurations or timing diagrams?