128Mbit SDRAM 2M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL The K4S281632B-TL80 is a memory chip manufactured by Samsung. Below are the factual specifications, descriptions, and features from the available knowledge base:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Samsung  
- **Type:** Synchronous DRAM (SDRAM)  
- **Density:** 128Mbit (4M x 32)  
- **Organization:** 4 Banks x 4M x 32  
- **Voltage:** 3.3V ± 0.3V  
- **Speed:** -8 (CL=2, 125MHz @ 3.3V)  
- **Package:** 80-pin TSOP-II (Thin Small Outline Package)  
- **Refresh:** 4096 cycles / 64ms  
- **Interface:** LVTTL  

### **Descriptions:**  
- The K4S281632B-TL80 is a high-speed CMOS synchronous DRAM designed for applications requiring high bandwidth and low power consumption.  
- It supports burst read and write operations with programmable burst lengths.  
- Features auto refresh and self refresh modes for power-saving applications.  

### **Features:**  
- Fully synchronous operation with a single 3.3V power supply  
- Programmable burst lengths: 1, 2, 4, 8, or full page  
- Auto precharge and controlled precharge commands  
- CAS latency options: 2 or 3  
- Internal pipelined architecture for high-speed operation  
- Compatible with JEDEC-standard SDRAM specifications  

This information is based strictly on the manufacturer's datasheet and technical documentation.