128Mbit SDRAM 2M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL The **K4S281632B-TL1H** is a memory chip manufactured by **SAMSUNG**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**  
- **Type:** Synchronous DRAM (SDRAM)  
- **Density:** 128Mbit (4M x 32)  
- **Organization:** 4 Banks x 4M words x 32 bits  
- **Voltage:** 3.3V (±0.3V)  
- **Speed:** 7.5ns (133MHz)  
- **Package:** 54-pin TSOP II (400mil width)  
- **Interface:** LVTTL  
- **Refresh:** 4096 cycles (64ms)  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to +70°C)  
- **CAS Latency:** 2 & 3  

### **Descriptions:**  
- A high-speed CMOS synchronous DRAM designed for applications requiring high bandwidth and low power consumption.  
- Supports burst read/write operations for efficient data transfer.  
- Commonly used in networking, telecommunications, and embedded systems.  

### **Features:**  
- **Auto Refresh & Self Refresh** for power-saving modes.  
- **Programmable Burst Length (1, 2, 4, 8, Full Page)**.  
- **Sequential & Interleaved Burst Mode** support.  
- **Single 3.3V Power Supply**.  
- **Fully Synchronous Operation** with a single clock input.  
- **Internal Pipelined Architecture** for high-speed performance.  

This information is sourced from Samsung's official datasheet for the **K4S281632B-TL1H** SDRAM chip.

128Mbit SDRAM 2M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL