128Mbit SDRAM 2M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL The **K4S281632B-TC80** is a memory chip manufactured by **SAMSUNG**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Specifications:**  
- **Type:** Synchronous DRAM (SDRAM)  
- **Density:** 256Mbit (16M x 16)  
- **Organization:** 4 Banks x 4M x 16  
- **Voltage:** 3.3V (±0.3V)  
- **Speed:** 8ns (125MHz)  
- **Package:** 54-pin TSOP-II  
- **Refresh:** 4096 cycles / 64ms  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to +70°C)  

### **Descriptions & Features:**  
- **High-Speed Operation:** Supports clock frequencies up to **125MHz** with a cycle time of **8ns**.  
- **Burst Mode:** Supports programmable burst lengths (1, 2, 4, 8, or full page).  
- **Auto Refresh & Self Refresh:** Includes **CBR (CAS Before RAS)** and self-refresh modes.  
- **Low Power Consumption:** Features standby and power-down modes for reduced power usage.  
- **Single 3.3V Power Supply:** Compatible with standard **3.3V** SDRAM interfaces.  
- **4-Bank Architecture:** Improves memory efficiency by allowing concurrent operations.  
- **CAS Latency Options:** Supports **2 and 3** programmable CAS latencies.  

This chip is commonly used in **PC peripherals, networking devices, and embedded systems** requiring moderate-speed SDRAM.  

(Note: Always refer to the official Samsung datasheet for the most accurate and detailed technical information.)