128Mbit SDRAM 2M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL The **K4S281632B-TC1H** is a memory chip manufactured by **SAMSUNG**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** Synchronous DRAM (SDRAM)  
- **Density:** 128Mbit (4M x 32)  
- **Organization:** 4 Banks x 4M words x 32 bits  
- **Voltage Supply:** 3.3V (±0.3V)  
- **Speed:** 7.5ns (133MHz)  
- **Package:** 54-pin TSOP II (400mil width)  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to +70°C)  

### **Descriptions & Features:**  
- **Synchronous Operation:** Clock-controlled for high-speed data transfer.  
- **Burst Mode Support:** Supports sequential burst read/write operations.  
- **Auto Refresh & Self Refresh:** Includes both modes for power efficiency.  
- **CAS Latency:** Programmable (2 or 3 cycles).  
- **Low Power Consumption:** Optimized for power-sensitive applications.  
- **Industrial Standard Pinout:** Compatible with JEDEC standards.  

This chip is commonly used in **networking equipment, embedded systems, and consumer electronics** requiring high-speed memory access.  

Would you like additional details on any specific aspect?