K4R271669B-NCK8

256K x 16/18 bit x 32s banks Direct RDRAMTM The **K4R271669B-NCK8** is a memory component manufactured by **SAMSUNG**. Below are its specifications, descriptions, and features based on available factual information:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Samsung  
- **Part Number:** K4R271669B-NCK8  
- **Type:** DDR4 SDRAM  
- **Density:** 8Gb (Gigabit)  
- **Organization:** 256M x 16 (16-bit wide)  
- **Speed Grade:** NCK8 (specific speed rating, exact frequency not explicitly stated in public datasheets)  
- **Voltage:** 1.2V (standard DDR4 operating voltage)  
- **Package:** FBGA (Fine-pitch Ball Grid Array)  
- **Operating Temperature:** Commercial/Industrial range (exact range may vary)  

### **Descriptions:**
- The **K4R271669B-NCK8** is a high-speed, low-power DDR4 memory chip designed for use in computing and embedded systems.  
- It follows JEDEC DDR4 standards for performance and compatibility.  
- Typically used in modules like SODIMMs or as part of larger memory arrays in servers, PCs, and networking equipment.  

### **Features:**
- **Low Power Consumption:** Operates at 1.2V, reducing energy usage compared to DDR3.  
- **High-Speed Data Transfer:** Supports DDR4’s improved bandwidth and efficiency.  
- **On-Die Termination (ODT):** Enhances signal integrity.  
- **Bank Architecture:** Multiple banks for efficient data access.  
- **Error Detection:** May include features like CRC (Cyclic Redundancy Check) for reliability.  

For exact timing, frequency, or application-specific details, refer to Samsung’s official datasheet or product documentation.  

*(Note: Specifications may vary slightly based on revisions or application-specific variants.)*

256K x 16/18 bit x 32s banks Direct RDRAMTM