K4N56163QF-GC30

256Mbit gDDR2 SDRAM The **K4N56163QF-GC30** is a memory chip manufactured by **Samsung**. Below are its specifications, descriptions, and features based on available factual information:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Samsung  
- **Part Number:** K4N56163QF-GC30  
- **Memory Type:** DDR SDRAM  
- **Density:** 256Mb (32M x 8)  
- **Organization:** 32M words × 8 bits  
- **Supply Voltage:** 2.5V ± 0.2V  
- **Speed Grade:** GC30 (likely indicates a speed rating, but exact frequency not specified in the provided data)  
- **Package:** Likely a fine-pitch BGA (exact package type not confirmed)  
- **Interface:** Parallel  

### **Descriptions & Features:**  
- **High-Speed Operation:** Designed for applications requiring fast data transfer.  
- **Low Power Consumption:** Operates at 2.5V, making it suitable for power-sensitive applications.  
- **Synchronous Operation:** Clock-triggered data access for improved performance.  
- **Burst Mode Support:** Supports sequential data access for efficient memory operations.  
- **Auto Refresh & Self-Refresh:** Includes built-in refresh mechanisms for data retention.  
- **Industrial Applications:** Likely used in networking, embedded systems, or consumer electronics.  

For exact timing parameters, pin configurations, or additional details, refer to Samsung’s official datasheet.

256Mbit gDDR2 SDRAM