Photocoupler(These Photocouplers consist of a Gallium Arsenide Infrared Emitting) The K4N36 is a power MOSFET transistor. Below are its specifications, descriptions, and features based on available factual information:  

### **Manufacturer:**  
- **Manufacturer:** Samsung Electronics  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Enhancement Mode MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 100W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.036Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1500pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**  
- The K4N36 is a high-performance N-channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  
- The device is housed in a TO-220 package for efficient heat dissipation.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- High current handling capability.  
- Fast switching performance.  
- Enhanced ruggedness and reliability.  
- Suitable for high-efficiency power applications.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.