128Mbit GDDR2 SDRAM The part **K4N26323AE-GC22** is a memory chip manufactured by **Samsung**. Below are its specifications, descriptions, and features based on available information:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Samsung  
- **Part Number:** K4N26323AE-GC22  
- **Type:** DDR SDRAM (Double Data Rate Synchronous Dynamic Random-Access Memory)  
- **Density:** 256Mb (32M x 8)  
- **Speed:** DDR-400 (PC3200)  
- **Voltage:** 2.6V  
- **Package:** 66-pin TSOP-II  
- **Organization:** 32M words × 8 bits  
- **Refresh:** 8K/64ms  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to 70°C) or Industrial (-40°C to 85°C), depending on variant  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-speed data transfer in computing and embedded systems.  
- Supports **Double Data Rate (DDR)** technology for improved performance.  
- **Low power consumption** with 2.6V operating voltage.  
- **Burst Length:** Supports 2, 4, or 8 for efficient data access.  
- **CAS Latency (CL):** Typically 2.5 or 3 cycles.  
- **On-Die Termination (ODT):** Helps reduce signal reflection for better signal integrity.  
- **Auto Precharge and Self-Refresh** modes for power efficiency.  

This chip was commonly used in older PCs, networking equipment, and embedded systems requiring DDR1 memory.  

Let me know if you need further details.

128Mbit GDDR2 SDRAM The part **K4N26323AE-GC22** is manufactured by **SAM (Samsung Semiconductor)**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** DRAM (Dynamic Random-Access Memory)  
- **Density:** 256Mb  
- **Organization:** 4M x 64  
- **Voltage:** 2.5V  
- **Speed Grade:** GC22  
- **Package:** TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to 70°C)  

### **Descriptions and Features:**  
- **High-Speed Operation:** Designed for high-performance applications.  
- **Low Power Consumption:** Optimized for power efficiency.  
- **Wide Compatibility:** Suitable for various computing and embedded systems.  
- **Reliable Performance:** Manufactured with Samsung’s advanced semiconductor technology.  

This part is commonly used in memory modules, networking equipment, and other electronic devices requiring fast and efficient DRAM.