4M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA The **K4M56163PG-BG90** is a memory chip manufactured by **SAMSUNG**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**
- **Part Number:** K4M56163PG-BG90  
- **Manufacturer:** SAMSUNG  
- **Memory Type:** Synchronous DRAM (SDRAM)  
- **Density:** 256Mb (32M x 8)  
- **Organization:** 4 Banks x 8M x 8 bits  
- **Supply Voltage:** 3.3V (±0.3V)  
- **Speed Grade:** -BG90 (90ns access time)  
- **Package:** 54-pin TSOP-II (400mil)  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to 70°C) or Industrial (-40°C to 85°C) depending on variant  
- **Refresh Cycles:** 4096 cycles/64ms  

### **Descriptions & Features:**
- **Synchronous Operation:** Clock-synchronized for high-speed data transfer.  
- **Burst Mode Support:** Supports sequential burst read/write operations.  
- **Auto Refresh & Self Refresh:** Includes power-saving modes.  
- **Programmable CAS Latency:** Supports 2 or 3 cycles.  
- **Single 3.3V Power Supply:** Low power consumption.  
- **4-Bank Architecture:** Enhances memory access efficiency.  
- **LVTTL Interface:** Compatible with standard logic levels.  

This chip is commonly used in embedded systems, networking devices, and consumer electronics requiring moderate-speed DRAM.  

(Note: Always verify datasheets for exact specifications, as variants may exist.)

4M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA