8M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA The part **K4M51163LE** is a memory component manufactured by **SEC (Samsung Electronics Co., Ltd.)**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** DRAM (Dynamic Random-Access Memory)  
- **Density:** 512K x 16 (8Mbit)  
- **Organization:** 524,288 words × 16 bits  
- **Voltage:** 5V (TTL-compatible)  
- **Access Time:** Typically 70ns  
- **Package:** 400mil SOJ (Small Outline J-Lead)  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to 70°C) or Industrial (-40°C to 85°C) variants  

### **Descriptions & Features:**  
- **High-Speed Operation:** Designed for fast data access in computing and embedded systems.  
- **Low Power Consumption:** Optimized for energy efficiency.  
- **TTL-Compatible Inputs/Outputs:** Ensures compatibility with standard logic levels.  
- **Refresh Cycles:** Requires periodic refresh to maintain data integrity.  
- **Wide Applications:** Used in older computer systems, industrial controls, and telecommunications equipment.  

This part is an older-generation DRAM chip, commonly found in legacy systems.

8M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA