Mobile SDRAM The part **K4M28163LH-BN75** is a memory component manufactured by **Samsung**. Below are its specifications, descriptions, and features based on available factual information:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Samsung  
- **Part Number:** K4M28163LH-BN75  
- **Type:** Synchronous DRAM (SDRAM)  
- **Density:** 128Mb (16M x 8-bit)  
- **Organization:** 4M words × 8 bits × 4 banks  
- **Voltage:** 3.3V (±0.3V)  
- **Speed:** 7.5ns (133MHz)  
- **Package:** 54-pin TSOP-II (400mil)  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to 70°C) or Industrial (-40°C to 85°C) depending on variant  
- **Refresh:** 4096 cycles/64ms  

### **Descriptions & Features:**  
- **High-Speed Operation:** Supports a clock frequency of up to 133MHz.  
- **Burst Mode:** Supports sequential and interleaved burst modes.  
- **Auto Refresh & Self Refresh:** Includes both auto-refresh and self-refresh modes for power efficiency.  
- **Low Power Consumption:** Designed for power-sensitive applications.  
- **CAS Latency:** Programmable CAS latency (2 or 3 cycles).  
- **Bank Management:** Four internal banks for efficient memory access.  
- **Compatibility:** Meets JEDEC standards for SDRAM.  

This part is typically used in embedded systems, networking equipment, and other applications requiring reliable, high-speed memory.  

(Note: Always verify with the latest Samsung datasheet for precise details.)

Mobile SDRAM