Mobile SDRAM The part **K4M28163LH-BG75** is a memory component manufactured by **SAMSUNG**. Below are its specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** SAMSUNG  
- **Part Number:** K4M28163LH-BG75  
- **Type:** Synchronous DRAM (SDRAM)  
- **Density:** 128Mbit (16M x 8)  
- **Organization:** 4 Banks x 4M x 8  
- **Voltage:** 3.3V  
- **Speed:** 7.5ns (133MHz)  
- **Package:** 54-pin TSOP-II  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to 70°C) or Industrial (-40°C to 85°C) depending on variant  
- **Refresh Cycles:** 4096 (64ms)  

### **Descriptions & Features:**  
- **Synchronous Operation:** Clock-synchronized for high-speed data transfer.  
- **Burst Mode Support:** Supports sequential burst read/write operations.  
- **Auto Refresh & Self Refresh:** Includes power-saving modes.  
- **Programmable Burst Length:** 1, 2, 4, 8, or full page.  
- **CAS Latency (CL):** Supports CL=2 or CL=3.  
- **Low Power Consumption:** Optimized for energy efficiency.  
- **Wide Compatibility:** Used in embedded systems, networking devices, and industrial applications.  

This information is strictly based on available technical data for the **K4M28163LH-BG75** SDRAM chip from SAMSUNG.

Mobile SDRAM