256Mbit GDDR3 SDRAM The part **K4J55323QF-GC14** is a memory IC manufactured by **SAMSUNG**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Samsung  
- **Part Number:** K4J55323QF-GC14  
- **Memory Type:** DDR2 SDRAM  
- **Density:** 512Mb (Megabit)  
- **Organization:** 32M x 16 (32 Meg words x 16 bits)  
- **Voltage Supply:** 1.8V ± 0.1V  
- **Speed Grade:** GC14 (DDR2-533, 533 Mbps data rate)  
- **Package:** FBGA (Fine-Pitch Ball Grid Array)  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to 70°C) or Industrial (-40°C to 85°C) depending on variant  

### **Descriptions & Features:**  
- **DDR2 Technology:** Offers higher bandwidth and lower power consumption compared to DDR1.  
- **On-Die Termination (ODT):** Improves signal integrity by reducing reflections.  
- **4-Bank Architecture:** Enhances memory access efficiency.  
- **CAS Latency (CL):** Supports programmable CAS latencies (3, 4, 5).  
- **Auto Refresh & Self Refresh:** Supports power-saving modes.  
- **RoHS Compliant:** Environmentally friendly, lead-free packaging.  

This IC is commonly used in embedded systems, networking devices, and industrial applications requiring DDR2 memory.  

(Note: For exact datasheet details, refer to Samsung’s official documentation.)

256Mbit GDDR3 SDRAM