K4H561638D-TCB0

128Mb DDR SDRAM The **K4H561638D-TCB0** is a memory chip manufactured by **SAMSUNG**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Samsung  
- **Part Number:** K4H561638D-TCB0  
- **Type:** DDR SDRAM (Double Data Rate Synchronous Dynamic Random-Access Memory)  
- **Density:** 256Mb (32M x 8)  
- **Organization:** 32M words × 8 bits  
- **Voltage:** 2.5V ± 0.2V  
- **Speed:** 400MHz (DDR400)  
- **Package:** 66-pin TSOP-II (Thin Small Outline Package)  
- **Refresh Mode:** 4K refresh cycles (64ms)  
- **Burst Length:** 2, 4, 8  
- **CAS Latency (CL):** 2, 2.5, 3  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to 70°C) or Industrial (-40°C to 85°C) depending on variant  

### **Descriptions & Features:**  
- **High-Speed Data Transfer:** Supports **DDR400 (PC3200)** with a data transfer rate of **400Mbps/pin**.  
- **Low Power Consumption:** Operates at **2.5V**, optimizing power efficiency.  
- **On-Die Termination (ODT):** Reduces signal reflections for improved signal integrity.  
- **Bi-Directional Data Strobe (DQS):** Ensures accurate data capture.  
- **Programmable CAS Latency (CL):** Supports **CL2, CL2.5, and CL3** for flexibility in timing configurations.  
- **Auto Precharge & Self-Refresh:** Enhances power management.  
- **Double Data Rate Architecture:** Transfers data on both rising and falling clock edges.  
- **Compatible with JEDEC Standards:** Compliant with **DDR SDRAM specifications**.  

This chip is commonly used in **PC memory modules, embedded systems, and networking equipment**.  

Would you like any additional technical details?

128Mb DDR SDRAM