128Mb DDR SDRAM The part **K4H561638B-TCB0** is a memory chip manufactured by **SAMSUNG**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Specifications:**  
- **Type:** DDR SDRAM (Double Data Rate Synchronous Dynamic Random-Access Memory)  
- **Density:** 256Mb (32M x 8 bits)  
- **Organization:** 4 Banks  
- **Voltage:** 2.5V ± 0.2V  
- **Speed:** 5ns (200MHz @ CL=2)  
- **Package:** 66-pin TSOP-II (Thin Small Outline Package)  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to 70°C)  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-speed data transfer in computing and embedded systems.  
- Supports **Burst Lengths:** 2, 4, 8 (programmable)  
- **Auto Refresh & Self Refresh** modes supported.  
- **CAS Latency (CL):** 2, 2.5  

### **Features:**  
- **DDR (Double Data Rate) Interface** for improved bandwidth.  
- **Bi-Directional Data Strobe (DQS)** for accurate data capture.  
- **Programmable Burst Length** for flexible operation.  
- **Low Power Consumption** with power-down modes.  
- **On-Die Termination (ODT)** for signal integrity.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet for **K4H561638B-TCB0**.