128Mb DDR SDRAM The part **K4H560838E-TCB0** is a memory chip manufactured by **SAMSUNG**. Below are the factual specifications, descriptions, and features based on available information:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Samsung  
- **Part Number:** K4H560838E-TCB0  
- **Memory Type:** DDR SDRAM  
- **Density:** 512Mb (64M x 8)  
- **Organization:** 64M words × 8 bits  
- **Voltage:** 2.5V ± 0.2V  
- **Speed Grade:** TCB0 (specific speed rating, exact frequency may vary)  
- **Package:** 66-pin TSOP-II (Thin Small Outline Package)  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to 70°C) or Industrial (-40°C to 85°C) depending on variant  

### **Descriptions & Features:**  
- **Synchronous DRAM:** Operates with a clock signal for high-speed data transfer.  
- **Burst Mode Support:** Allows efficient sequential data access.  
- **Auto Refresh & Self Refresh:** Supports power-saving modes.  
- **CAS Latency (CL):** Programmable for system optimization.  
- **Double Data Rate (DDR):** Transfers data on both rising and falling clock edges (if applicable, though part number suggests standard SDRAM).  
- **Low Power Consumption:** Designed for energy-efficient applications.  
- **Wide Compatibility:** Used in various embedded systems, networking devices, and consumer electronics.  

This information is based on standard Samsung DDR SDRAM specifications. For exact datasheet details, refer to Samsung's official documentation.