512Mb C-die DDR SDRAM Specification Here are the factual details about the part **K4H510438C-UCB3** from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:** SAMSUNG  
### **Specifications:**  
- **Part Number:** K4H510438C-UCB3  
- **Type:** DDR3 SDRAM (Synchronous Dynamic Random-Access Memory)  
- **Density:** 512Mb (Megabit)  
- **Organization:** 64M x 8 (64 Meg words × 8 bits)  
- **Speed Grade:** UCB3 (DDR3-1600, 11-11-11 timings)  
- **Voltage:** 1.5V ± 0.075V  
- **Package:** FBGA (Fine-Pitch Ball Grid Array)  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to 85°C) or Industrial (-40°C to 85°C) depending on variant  

### **Descriptions & Features:**  
- Low-power, high-speed DDR3 memory chip  
- Supports **8n Prefetch Architecture**  
- **On-Die Termination (ODT)** for signal integrity  
- **Auto Refresh & Self Refresh** modes  
- **Programmable CAS Latency (CL):** 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11  
- **Burst Length (BL):** 8 (BC4 & BL8 via Mode Register)  
- **Bi-Directional Differential Data Strobe (DQS)**  
- **RoHS Compliant**  

This chip is commonly used in computing and embedded systems requiring DDR3 memory. Let me know if you need further details.