K4E641612C-TL60

4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out The **K4E641612C-TL60** is a memory chip manufactured by **SAMSUNG**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Specifications:**  
- **Memory Type:** DDR SDRAM  
- **Density:** 64Mb (4M x 16)  
- **Organization:** 4,194,304 words × 16 bits  
- **Voltage Supply:** 2.5V ± 0.2V  
- **Speed:** 6ns (CL=2, 166MHz)  
- **Package:** 54-pin TSOP II (400mil width)  
- **Refresh Mode:** Auto-Refresh & Self-Refresh  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to +70°C) / Industrial (-40°C to +85°C)  

### **Descriptions:**  
- **High-Speed Performance:** Supports burst read/write operations for efficient data transfer.  
- **Low Power Consumption:** Operates at 2.5V, reducing power usage.  
- **Wide Compatibility:** Suitable for applications requiring moderate-density DDR SDRAM.  

### **Features:**  
- **Double Data Rate (DDR):** Transfers data on both rising and falling clock edges.  
- **Programmable Burst Length:** Supports burst lengths of 2, 4, or 8.  
- **Auto Precharge:** Enhances memory efficiency.  
- **Differential Clock Inputs (CK & /CK):** Improves signal integrity.  
- **On-Die Termination (ODT):** Reduces signal reflections.  

This chip is commonly used in **embedded systems, networking devices, and consumer electronics**.  

(Note: Always refer to the official Samsung datasheet for precise technical details.)

4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out