4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out The **K4E641612C-TC60** is a memory chip manufactured by **SAMSUNG**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Samsung  
- **Part Number:** K4E641612C-TC60  
- **Memory Type:** DDR SDRAM  
- **Density:** 64Mb (4M x 16)  
- **Organization:** 4M words × 16 bits  
- **Voltage:** 2.5V ± 0.2V  
- **Speed:** 6ns (166MHz)  
- **Package:** 60-pin TSOP-II (Thin Small Outline Package)  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to 70°C) or Industrial (-40°C to 85°C) depending on variant  
- **Refresh Cycles:** 4K refresh cycles every 64ms  

### **Descriptions & Features:**  
- **Synchronous Operation:** Clock-synchronized for high-speed data transfer.  
- **Burst Mode Support:** Supports sequential burst read/write operations.  
- **Auto & Self Refresh:** Includes both auto-refresh and self-refresh modes.  
- **Low Power Consumption:** Designed for power efficiency with standby and active power-saving modes.  
- **CAS Latency (CL):** Programmable (2 or 3 cycles).  
- **Double Data Rate (DDR):** Transfers data on both rising and falling clock edges.  
- **On-Die Termination (ODT):** Reduces signal reflection for improved signal integrity.  

This chip is commonly used in embedded systems, networking devices, and consumer electronics requiring moderate-speed DDR memory.  

(Note: Always verify datasheets for exact specifications as variants may exist.)

4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out