4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out The part **K4E641612C-TC50** is a memory component manufactured by **SAMSUNG**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Samsung  
- **Part Number:** K4E641612C-TC50  
- **Memory Type:** DDR SDRAM  
- **Density:** 64Mbit (4M x 16)  
- **Organization:** 4M words × 16 bits  
- **Voltage:** 2.5V ± 0.2V  
- **Speed:** 5ns (200MHz)  
- **Package:** 50-pin TSOP II (400mil)  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to 70°C) or Industrial (-40°C to 85°C) depending on variant  

### **Descriptions & Features:**
- **Synchronous DRAM:** Operates with a clock signal for high-speed data transfer.  
- **Burst Length:** Supports programmable burst lengths (1, 2, 4, 8, or full page).  
- **Auto Refresh & Self Refresh:** Includes built-in refresh mechanisms.  
- **Low Power Consumption:** Designed for power efficiency with 2.5V operation.  
- **CAS Latency:** Supports CAS latencies of 2 or 3 cycles.  
- **Double Data Rate (DDR):** Transfers data on both rising and falling clock edges.  
- **Applications:** Used in embedded systems, networking devices, and consumer electronics.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation. No additional guidance or suggestions are included.

4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out