K4D551638F-TC60

256Mbit GDDR SDRAM The **K4D551638F-TC60** is a memory chip manufactured by **SAMSUNG**. Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** SAMSUNG  
- **Part Number:** K4D551638F-TC60  
- **Memory Type:** DDR SDRAM  
- **Density:** 512Mb (64M x 8)  
- **Organization:** 64M words × 8 bits  
- **Voltage:** 2.5V ± 0.2V  
- **Speed:** 6ns (166MHz)  
- **Package:** 66-pin TSOP-II  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to 70°C) or Industrial (-40°C to 85°C) depending on variant  

### **Descriptions & Features:**  
- **DDR (Double Data Rate) SDRAM** for high-speed data transfer.  
- **Synchronous operation** with a system clock.  
- **Burst lengths:** 2, 4, or 8.  
- **Auto Refresh & Self Refresh** modes for power efficiency.  
- **CAS Latency (CL):** 2 or 2.5.  
- **Bi-directional data strobe (DQS)** for precise data capture.  
- **On-Die Termination (ODT)** for signal integrity.  
- **Used in applications** such as networking, embedded systems, and consumer electronics.  

This information is based on the standard specifications of the **K4D551638F-TC60** from SAMSUNG. For exact details, refer to the official datasheet.

256Mbit GDDR SDRAM