256Mbit GDDR SDRAM The **K4D551638F-TC40** is a memory chip manufactured by **SAMSUNG**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Samsung  
- **Part Number:** K4D551638F-TC40  
- **Memory Type:** Synchronous DRAM (SDRAM)  
- **Density:** 512Mb (64M x 8)  
- **Organization:** 64M words × 8 bits  
- **Voltage:** 3.3V  
- **Speed:** 5ns (200MHz)  
- **Package:** 54-pin TSOP-II  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to 70°C)  

### **Descriptions & Features:**  
- **High-Speed Operation:** Supports clock frequencies up to 200MHz.  
- **Low Power Consumption:** Operates at 3.3V, optimized for power efficiency.  
- **Synchronous Interface:** All signals are synchronized with a positive clock edge.  
- **Burst Mode Support:** Supports programmable burst lengths (1, 2, 4, 8, or full page).  
- **Auto Refresh & Self Refresh:** Includes built-in refresh mechanisms for data retention.  
- **CAS Latency Options:** Supports CAS latency of 2 or 3 cycles.  
- **Industrial Standard Pinout:** 54-pin TSOP-II package for compatibility with standard designs.  

This chip is commonly used in embedded systems, networking devices, and other applications requiring high-speed, low-power memory.  

(Note: Always verify datasheets for precise technical details.)

256Mbit GDDR SDRAM