128Mbit DDR SDRAM Here are the factual details about the part **K4D28163HD-TC50** from the manufacturer **Samsung**:

### **Specifications:**  
- **Part Number:** K4D28163HD-TC50  
- **Manufacturer:** Samsung  
- **Type:** DDR SDRAM (Double Data Rate Synchronous Dynamic Random-Access Memory)  
- **Density:** 256Mb (Megabit)  
- **Organization:** 16M x 16 (16-bit wide)  
- **Speed Grade:** TC50 (5ns cycle time, 200MHz clock frequency)  
- **Voltage:** 2.5V ± 0.2V  
- **Package:** 66-pin TSOP-II (Thin Small Outline Package)  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to 70°C) or Industrial (-40°C to 85°C) depending on variant  
- **Refresh Mode:** Auto-refresh and self-refresh supported  

### **Descriptions:**  
- A high-speed, low-power DDR SDRAM designed for applications requiring efficient data transfer.  
- Suitable for embedded systems, networking devices, and consumer electronics.  
- Features double data rate architecture for improved bandwidth.  

### **Features:**  
- **Double Data Rate (DDR):** Transfers data on both rising and falling clock edges.  
- **Burst Length:** Supports burst lengths of 2, 4, or 8.  
- **Programmable CAS Latency:** 2 or 2.5 clock cycles.  
- **Low Power Consumption:** 2.5V operation reduces power usage.  
- **On-Die Termination (ODT):** Improves signal integrity in high-speed applications.  
- **Auto Precharge:** Enhances memory efficiency.  

For exact performance and compatibility, refer to the official Samsung datasheet.

128Mbit DDR SDRAM The **K4D28163HD-TC50** is a memory chip manufactured by **Samsung**. Below are its specifications, descriptions, and features based on available factual data:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Samsung  
- **Part Number:** K4D28163HD-TC50  
- **Memory Type:** DDR SDRAM  
- **Density:** 128Mb (16M x 8)  
- **Organization:** 16M words × 8 bits  
- **Voltage:** 2.5V ± 0.2V  
- **Speed Grade:** TC50 (5ns clock cycle time, 200MHz operation)  
- **Package:** 66-pin TSOP-II (Thin Small Outline Package)  
- **Refresh Mode:** Auto-refresh & Self-refresh  
- **Burst Length:** 2, 4, 8 (programmable)  
- **CAS Latency:** 2, 2.5, 3 (programmable)  

### **Descriptions:**  
- The **K4D28163HD-TC50** is a **128Mb DDR SDRAM** chip designed for high-speed data transfer applications.  
- It operates at **200MHz (DDR400 effective)** with a **2.5V power supply**.  
- Suitable for **consumer electronics, networking, and computing applications** requiring low-power, high-performance memory.  

### **Features:**  
- **Double Data Rate (DDR) Architecture** – Transfers data on both rising and falling clock edges.  
- **Programmable CAS Latency (2, 2.5, 3)** for system flexibility.  
- **Auto Precharge & Burst Operation** for efficient data handling.  
- **Low Power Consumption** with standby and power-down modes.  
- **On-Die Termination (ODT)** for improved signal integrity.  

This information is based on Samsung's official documentation for the **K4D28163HD-TC50** DDR SDRAM chip.