2M x 16Bit x 4 Banks Double Data Rate Synchronous DRAM The part **K4D261638E-TC40** is a memory chip manufactured by **SAMG (Samsung)**.  

### **Specifications:**  
- **Memory Type:** DRAM (Dynamic Random-Access Memory)  
- **Density:** 256Mb  
- **Organization:** 16M x 16  
- **Voltage:** 2.5V  
- **Speed:** 40ns (nanoseconds)  
- **Package Type:** TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to 70°C)  

### **Features:**  
- **Low Power Consumption:** Designed for power efficiency.  
- **High-Speed Operation:** Suitable for applications requiring fast data access.  
- **Wide Compatibility:** Used in various computing and embedded systems.  
- **Reliable Performance:** Manufactured with Samsung’s high-quality standards.  

This part is typically used in older computing devices, networking equipment, and industrial applications.

2M x 16Bit x 4 Banks Double Data Rate Synchronous DRAM The **K4D261638E-TC40** is a memory component, specifically a **256Mb (16Mx16) DDR SDRAM** manufactured by **Samsung**.  

### **Specifications:**  
- **Part Number:** K4D261638E-TC40  
- **Memory Type:** DDR SDRAM  
- **Density:** 256Mb (16Mx16)  
- **Organization:** 16M words × 16 bits  
- **Voltage:** 2.5V ± 0.2V  
- **Speed:** **TC40** (5ns cycle time, 200MHz clock frequency)  
- **Package:** 66-pin TSOP-II  
- **Refresh:** 8K cycles / 64ms  
- **CAS Latency (CL):** 2, 2.5  
- **Burst Length:** 2, 4, 8  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to +70°C)  

### **Features:**  
- **Double Data Rate (DDR) architecture**  
- **Bidirectional data strobe (DQS)**  
- **Differential clock inputs (CK, /CK)**  
- **Programmable burst lengths (2, 4, 8)**  
- **Auto refresh and self refresh modes**  
- **Internal pipelined operation**  
- **4 internal banks for concurrent operation**  

This memory chip is commonly used in **consumer electronics, networking devices, and embedded systems** requiring DDR SDRAM.  

Would you like additional technical details?