K4D261638E-TC36

2M x 16Bit x 4 Banks Double Data Rate Synchronous DRAM The part **K4D261638E-TC36** is a memory component manufactured by **SAMSUNG**. Below are its specifications, descriptions, and features based on available factual information:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Samsung  
- **Part Number:** K4D261638E-TC36  
- **Type:** DDR SDRAM (Double Data Rate Synchronous Dynamic Random-Access Memory)  
- **Density:** 256Mb (32M x 8)  
- **Organization:** 32M words × 8 bits  
- **Voltage:** 2.5V ± 0.2V  
- **Speed Grade:** TC36 (likely 3.6ns access time, ~278MHz clock speed)  
- **Package:** 66-pin TSOP-II (Thin Small Outline Package)  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to 70°C) or Industrial (-40°C to 85°C) depending on variant  

### **Descriptions & Features:**
- **Double Data Rate (DDR) Interface:** Supports data transfer on both rising and falling clock edges.  
- **Burst Length:** Supports programmable burst lengths (2, 4, or 8).  
- **Auto Refresh & Self Refresh:** Includes built-in refresh mechanisms for data retention.  
- **Low Power Consumption:** Designed for power efficiency with 2.5V operation.  
- **On-Die Termination (ODT):** Helps improve signal integrity in high-speed applications.  
- **CAS Latency (CL):** Programmable latency settings (typically CL=2, 2.5, or 3).  
- **Applications:** Used in embedded systems, networking devices, and consumer electronics requiring DDR1 memory.  

This part is part of Samsung’s DDR1 memory lineup, commonly found in older or industrial-grade hardware. For exact datasheet details, refer to Samsung’s official documentation.

2M x 16Bit x 4 Banks Double Data Rate Synchronous DRAM