1Gb D-die DDR3 SDRAM Specification The part **K4B1G1646D-HCH9** is a memory component manufactured by **SAMSUNG**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**  
- **Part Number:** K4B1G1646D-HCH9  
- **Manufacturer:** SAMSUNG  
- **Type:** DDR3 SDRAM (Synchronous DRAM)  
- **Density:** 1Gb (Gigabit)  
- **Organization:** 128M x 8 (128 Meg x 8 bits)  
- **Speed Grade:** HCH9 (specific speed/timing details may vary)  
- **Voltage:** 1.5V (standard DDR3 operating voltage)  
- **Package:** FBGA (Fine-pitch Ball Grid Array)  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to 85°C) or Industrial (-40°C to 85°C), depending on variant  

### **Descriptions & Features:**  
- **DDR3 Technology:** Provides higher bandwidth and lower power consumption compared to DDR2.  
- **8-Bit Prefetch Architecture:** Enhances data transfer efficiency.  
- **On-Die Termination (ODT):** Improves signal integrity.  
- **Programmable CAS Latency (CL):** Supports various timing configurations.  
- **Auto Refresh & Self Refresh Modes:** For power-saving operation.  
- **RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This memory chip is commonly used in computing and embedded systems requiring DDR3 SDRAM modules. For exact speed ratings (e.g., 1600MHz, 1866MHz), refer to the datasheet or manufacturer documentation.  

(Note: Always verify with official SAMSUNG datasheets for precise technical details.)