1Gb D-die DDR3 SDRAM Specification The part **K4B1G1646D-HCF8** is a **1Gb DDR3 SDRAM** manufactured by **Samsung**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Density:** 1 Gigabit (128M x 8)  
- **Organization:** 128M words × 8 bits  
- **Voltage:** 1.5V ± 0.075V  
- **Speed:** **800 Mbps** (DDR3-800)  
- **Package:** **78-ball FBGA (Fine-pitch Ball Grid Array)**  
- **CAS Latency (CL):** 5, 6  
- **Burst Length (BL):** 8 (programmable)  
- **Refresh:** Auto-refresh & self-refresh  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to 85°C)  

### **Descriptions & Features:**
- **Double Data Rate (DDR3):** Supports high-speed data transfer with a prefetch architecture.  
- **On-Die Termination (ODT):** Improves signal integrity by reducing reflections.  
- **Low Power Consumption:** Optimized for energy efficiency.  
- **Fly-by Topology:** Enhances signal integrity in high-speed applications.  
- **Backward Compatibility:** Works with standard DDR3 controllers.  
- **RoHS Compliant:** Environmentally friendly manufacturing.  

This part is commonly used in **consumer electronics, networking devices, and embedded systems**.  

Would you like additional details on pin configuration or timing parameters?