1Gb G-die DDR3 SDRAM The part **K4B1G0846G-BCK0** is a DRAM component manufactured by **SAMSUNG**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Specifications:**  
- **Type:** DDR3 SDRAM  
- **Density:** 1Gb (Gigabit)  
- **Organization:** 128M x 8 (1G x 8)  
- **Voltage:** 1.35V (Low Voltage DDR3L)  
- **Speed:** 1600 Mbps (PC3L-12800)  
- **Package:** FBGA (Fine-pitch Ball Grid Array)  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to 95°C) or Industrial (-40°C to 95°C) depending on variant  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low Power Consumption:** Designed for energy-efficient applications due to 1.35V operation.  
- **High-Speed Performance:** Supports data rates up to 1600 Mbps.  
- **On-Die Termination (ODT):** Enhances signal integrity and reduces reflections.  
- **8-Bank Architecture:** Optimized for high-speed operation.  
- **Auto Refresh & Self Refresh:** Supports power-saving modes.  
- **RoHS Compliant:** Environmentally friendly manufacturing.  
- **Applications:** Used in embedded systems, networking devices, and consumer electronics.  

This information is sourced from Samsung's official documentation. Let me know if you need further details.