IC Phoenix logo

Home ›  K  › K1 > K4B1G0846D-HCF8

K4B1G0846D-HCF8 from SAMSUNG

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

K4B1G0846D-HCF8

Manufacturer: SAMSUNG

1Gb D-die DDR3 SDRAM Specification

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
K4B1G0846D-HCF8,K4B1G0846DHCF8 SAMSUNG 985 In Stock

Description and Introduction

1Gb D-die DDR3 SDRAM Specification The part **K4B1G0846D-HCF8** is a memory component manufactured by **SAMSUNG**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** SAMSUNG  
- **Part Number:** K4B1G0846D-HCF8  
- **Memory Type:** DDR3 SDRAM  
- **Density:** 1Gb (Gigabit)  
- **Organization:** 128M x 8 (1Gb)  
- **Speed:** 800 Mbps (DDR3-800)  
- **Voltage:** 1.5V ± 0.075V  
- **Package:** FBGA (Fine-pitch Ball Grid Array)  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to 95°C) or Industrial (-40°C to 95°C), depending on variant  
- **Refresh:** 64ms/8192 cycles  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low Power Consumption:** Designed for energy-efficient applications.  
- **High-Speed Data Transfer:** Supports up to 800Mbps data rate.  
- **On-Die Termination (ODT):** Integrated termination resistors for signal integrity.  
- **Auto & Self Refresh:** Supports both auto-refresh and self-refresh modes.  
- **Bi-Directional Differential Data Strobe (DQS):** Enables precise data capture.  
- **Programmable CAS Latency (CL):** Supports various timing configurations.  
- **RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This chip is commonly used in embedded systems, networking devices, and other applications requiring DDR3 memory.  

(Note: Always verify datasheets for exact specifications, as variants may exist.)

Application Scenarios & Design Considerations

1Gb D-die DDR3 SDRAM Specification # Technical Documentation: K4B1G0846DHCF8 DDR3 SDRAM

 Manufacturer : SAMSUNG  
 Component : K4B1G0846DHCF8  
 Type : 1Gb DDR3 SDRAM (Double Data Rate 3 Synchronous Dynamic Random-Access Memory)  
 Configuration : 128M words × 8 bits, 1.5V, FBGA package, Commercial Temperature Range (0°C to 95°C)

---

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The K4B1G0846DHCF8 is a 1Gb DDR3 SDRAM designed for applications requiring moderate-speed, volatile memory with balanced power and performance characteristics. Typical use cases include:

-  Embedded Computing Systems : Single-board computers (SBCs), industrial PCs, and embedded controllers where DDR3 offers a cost-effective memory solution.
-  Consumer Electronics : Set-top boxes, digital TVs, network-attached storage (NAS) devices, and mid-range routers that benefit from its 8-bit wide data bus.
-  Communication Equipment : Network switches, baseband units, and telecom infrastructure requiring reliable, commercial-grade memory.
-  Automotive Infotainment : In-vehicle entertainment and navigation systems (non-safety critical, given commercial temperature range).

### Industry Applications
-  Industrial Automation : PLCs, HMIs, and data acquisition systems where DDR3’s bandwidth (up to 1066 Mbps/pin) supports real-time data processing.
-  IoT Gateways : Edge computing devices aggregating sensor data, leveraging the memory’s low power relative to performance.
-  Medical Devices : Diagnostic equipment (e.g., portable monitors) with moderate processing needs, though extended temperature variants may be required for harsh environments.
-  Retail & Hospitality : Point-of-sale (POS) systems and kiosks, where cost efficiency and reliability are prioritized.

### Practical Advantages and Limitations
 Advantages :
-  Cost-Effective : DDR3 technology is mature, offering lower cost per bit compared to DDR4/LPDDR4 in many markets.
-  Power Efficiency : Operates at 1.5V (VDD/VDDQ), reducing dynamic power consumption versus older DDR2 (1.8V).
-  Performance : Supports burst lengths of 8 and programmable CAS latencies (CL), enabling optimized data throughput for sequential accesses.
-  High Density : 1Gb capacity in a compact FBGA package (78-ball, 9mm × 13mm) suits space-constrained designs.

 Limitations :
-  Bandwidth Cap : Maximum data rate of 1066 Mbps/pin may be insufficient for high-performance computing (vs. DDR4’s 3200 Mbps).
-  Temperature Range : Commercial (0°C to 95°C) limits use in automotive/industrial extremes; industrial-grade variants would be needed.
-  Voltage Sensitivity : Requires precise 1.5V ±0.075V supply; voltage drops can cause timing failures.
-  Legacy Interface : Not forward-compatible with DDR4/LPDDR4 controllers, limiting upgrade paths.

---

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions
-  Signal Integrity Issues :
  -  Pitfall : Ringing/overshoot on DQ/DQS lines due to impedance mismatch.
  -  Solution : Maintain controlled impedance (typically 40–60 Ω) on data lines; use series termination resistors (e.g., 22–33 Ω) near the driver.
-  Timing Violations :
  -  Pitfall : Skew between clock and data signals exceeding setup/hold times.
  -  Solution : Length-match address/command/clock traces within ±50 mil; use fly-by topology for multi-chip designs.
-  Power Supply Noise :

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips