1Gb D-die DDR3 SDRAM Specification The part **K4B1G0846D-HCF8** is a memory component manufactured by **SAMSUNG**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** SAMSUNG  
- **Part Number:** K4B1G0846D-HCF8  
- **Memory Type:** DDR3 SDRAM  
- **Density:** 1Gb (Gigabit)  
- **Organization:** 128M x 8 (1Gb)  
- **Speed:** 800 Mbps (DDR3-800)  
- **Voltage:** 1.5V ± 0.075V  
- **Package:** FBGA (Fine-pitch Ball Grid Array)  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to 95°C) or Industrial (-40°C to 95°C), depending on variant  
- **Refresh:** 64ms/8192 cycles  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low Power Consumption:** Designed for energy-efficient applications.  
- **High-Speed Data Transfer:** Supports up to 800Mbps data rate.  
- **On-Die Termination (ODT):** Integrated termination resistors for signal integrity.  
- **Auto & Self Refresh:** Supports both auto-refresh and self-refresh modes.  
- **Bi-Directional Differential Data Strobe (DQS):** Enables precise data capture.  
- **Programmable CAS Latency (CL):** Supports various timing configurations.  
- **RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This chip is commonly used in embedded systems, networking devices, and other applications requiring DDR3 memory.  

(Note: Always verify datasheets for exact specifications, as variants may exist.)