MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR **Part K3296 Manufacturer: NEC**  
**Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 60V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Drain Current (ID):** 30A  
- **Power Dissipation (PD):** 100W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.028Ω (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 1700pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220AB  
**Descriptions:**  
The K3296 is an N-Channel power MOSFET designed for high-speed switching applications. It is suitable for power management, motor control, and DC-DC converters.  
**Features:**  
- Low on-resistance for high efficiency  
- Fast switching speed  
- High current handling capability  
- Robust thermal performance  
- Suitable for surface-mount applications (depending on variant)  
(Note: Specifications may vary slightly based on datasheet revisions.)